科技主线强势反攻！“芯片快车”持续领跑市场

费城半导体指数迎来强劲反弹，涨幅接近6%。英伟达首席执行官黄仁勋公开表示，迈威尔科技具备成为下一家万亿市值企业的潜力，此言一出，迈威尔科技股价飙升，涨幅超过32%，科技主线再次成为市场焦点！6月2日，创业板指大幅上扬2.66%，科创50指数也反弹1.62%，半导体ETF国联安（512480）所追踪的中证全指半导体产品与设备指数，以及科创芯片设计ETF国联安（588780）所对应的科创芯片设计指数，分别实现了1.64%和1.58%的涨幅。

消息速递，6月2日，以“AI Together”为主题，为期四天的2026台北国际电脑展（COMPUTEX 2026）在台北盛大启幕。此次展会吸引了1500家海内外企业参展，设立了6000个展位，再次刷新了亚洲最大科技展的规模记录。本届展会聚焦AI运算、机器人与智慧移动、次世代科技三大核心主题，亮点频现，引人瞩目。

【英伟达与英特尔跨界对决，半导体行业格局生变】

据悉，6月1日，英伟达发布了面向Windows系统个人电脑的全新超级芯片RTX Spark，正式宣告进军个人电脑核心处理器市场，直接向英特尔与AMD长期主导的行业格局发起挑战。该芯片采用NVIDIA Blackwell RTX GPU，配备6144个CUDA核心和第五代Tensor Core。这款芯片由英伟达与联发科联手设计，采用台积电3纳米先进制程，内部集成了Blackwell RTX GPU与20核心Grace CPU，可完美适配基于微软Arm架构的Windows操作系统。RTX Spark的图形处理能力可与RTX 5070移动GPU相媲美，CPU性能更是达到了Windows平台的顶级水准，足以与市面上的主流竞品一较高下。按照规划，从今年秋季开始，戴尔、联想、华硕等全球主流PC厂商将陆续推出搭载RTX Spark芯片的笔记本和台式机产品。

在英伟达发布PC芯片的同时，英特尔也亮出了重磅产品与规划。当日，英特尔正式推出了全新至强6+处理器，这也是英特尔首款采用Intel 18A制程开发的数据中心CPU，主要针对云原生、智能体AI以及网络密集型工作负载进行了优化，在性能密度、能效表现和运营扩展性上均实现了显著提升。此外，英特尔还透露了明确的AI芯片布局规划，计划在2026年年底前推出名为“Crescent Island”的全新AI芯片，专注于AI推理任务加速，试图避开英伟达在模型训练领域的绝对优势，实现差异化竞争。

两大科技巨头的跨界交锋，或将加速PC产业向AI原生计算的转型，并引发全球芯片产业链的深刻变革。一方面，PC芯片市场将告别英特尔、AMD双雄争霸的格局，Arm架构芯片将借助AI的东风加速渗透，x86与Arm架构的市场竞争将愈发激烈，终端厂商将拥有更多芯片选择，这也将推动AI PC产品的加速普及。另一方面，英特尔凭借制程优势、生态积淀和成本控制能力，有望分流AI算力、高端推理市场的份额，为云服务商和企业用户降低算力采购成本。与此同时，巨头的跨界竞争也将带动产业链上下游的协同升级，从制程工艺、芯片架构到整机制造、AI软件开发，整个产业或将迎来新一轮的创新周期。

【HBM散热技术革新，存储芯片市场依旧供不应求】

在Computex 2026电脑展上，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。三星电子计划采用其自主研发的2nm工艺制造HBM5芯片，预计将在2028年左右实现量产。HPB将成为大规模应用于其中的核心热管理技术，它是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。（资料来源：科创板日报、朝鲜日报，2026.6.2）

随着AI基础设施散热需求的日益增长，多种热管理技术在存储领域相继涌现。此前，SK海力士于5月26日推出了iHBM解决方案，通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，以降低产品运行时的发热量。该技术同样将应用于HBM5等下一代产品。SK海力士表示：“该技术与客户现有SiP系统级封装环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署。”

在散热技术集体升级的预期下，HBM市场或仍将维持供不应求的局面。根据TrendForce集邦咨询的最新研究，三大原厂的HBM年度议价机制导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求的市场状况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

高盛在5月31日发布的研究观点中预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将比2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年，这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NAND ASP则分别增长283%和33%。

摩根大通也在最新研究报告中大幅上调了全球存储市场规模预测，并维持对该板块的多年期看多立场，认为存储芯片正从传统的周期性大宗商品向AI基础设施的战略核心资产转型。摩根大通将2026至2028年全球存储市场总规模（TAM）预测较3月模型上调37%至53%，预计2028年TAM将达1.7万亿美元。其中，DRAM市场收入预计从2025年的1430亿美元跃升至2026年的6360亿美元，再于2028年达到1.237万亿美元；NAND市场收入同期预计从710亿美元增至4545亿美元；预计供需缺口将在2027年进一步扩大，理论上为DRAM及NAND价格提供额外上行空间，但长期协议（LTA）合同销售占比的提升将令价格走势趋于稳定。

【科技主线分化加剧，高景气与高拥挤并存，投资策略何去何从？】

近日，以芯片为代表的科技主线出现高位震荡，资金分歧加大。AI主线还能否延续？

东吴证券指出，AI高景气产业趋势并未终结，后续科技赛道仍是主线，行情将逐步进入缩圈交易、聚焦核心的阶段。市场资金将逐步抛弃纯题材炒作标的，集中布局有真实业绩兑现、高景气预期明确的核心品种，结构性行情仍将延续。（资料来源：东吴证券，2026.5.30）

开源证券也指出，这并非成长退潮，而是科技成长内部的审美升级。后市节奏上，先消化拥挤，再交易催化，事件后回归DDM。长鑫、长存这类巨型IPO催化，可能成为重要时间催化，更像2025年9月的“阅兵交易”，而非“吸血逻辑”。科技成长仍是当前核心主线，但科技成长内部的审美升级，市场需要重新筛选真正能够承接估值和盈利的资产，重点关注国产算力。算力主线没有结束，但内部要更加重视国产算力，核心是产业趋势、国产替代和订单斜率改善共振。（资料来源：开源证券，2026.5.31）

兴业证券认为，随着6-7月国内外科技领域重要会议和产业进展的集中落地，以及上市公司新一轮业绩和需求指引的相继释放，全球共振的亮点和焦点仍在科技。放眼本轮大周期而言，无论是从渗透率、行情演进节奏还是估值来看，本轮全球共振的AI超级周期仍在半途。短期拥挤度引发的休整无需过度担忧，景气和产业趋势的持续验证，才是行情延续的关键。（资料来源：兴业证券，2026.6.1.）

波动不改长牛底色，布局良机或在当下。短期震荡与阶段性调整，是科技成长板块的常态。这一轮AI的发展空间很有可能超过大多数人的预期，保持在场，或是更佳的投资方式。在AI主线逻辑依旧坚挺的背景下，对于投资者而言，每一次“深蹲”或许都是难得的入场时机。

对于追求稳健的投资者，不妨关注半导体ETF国联安（512480），它全面覆盖半导体产业链上中下游86家优质企业，涵盖芯片设计、制造、封测以及设备材料等关键环节，兼具成长性与代表性，能够有效分散单一赛道风险。

而对于追求弹性和锐度的投资者，科创芯片设计ETF国联安（588780）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦于芯片设计环节，成分股全部来自科创板上市公司，覆盖数字与模拟芯片设计领域。它汇聚了AI算力、HBM内存等核心赛道，单日涨跌幅限制达20%，能够在科技行情中展现出较强的市场弹性。

费率备注：投资者申购或赎回科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安的基金份额时，申购或赎回费率将按照不超过0.5%的标准收取费用，其中包含证券交易所、登记结算机构等收取的相关费用。敬请投资者阅读更新的《招募说明书》及销售机构相关公告了解详细情况。

产品风险等级：科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安，风险等级均为R3（中风险），本风险等级仅为基金管理人评价结果，基金代销机构评价结果不必然与基金管理人一致，请投资者在投资前根据所适用的销售机构的风险测评以及匹配结果独立做出投资决策。

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