新型NAND闪存抗辐射性能飙升，达传统型号30倍

徽声在线5月22日消息，近日，来自美国佐治亚理工学院的一支科研团队宣布，他们成功开发出一种具备卓越性能的新型NAND闪存。这款新型闪存不仅在人工智能（AI）任务处理方面展现出高效能，更令人瞩目的是，它能够在太空极端辐射环境中保持稳定运行，其抗辐射能力相较于传统NAND闪存实现了质的飞跃，高达30倍之巨。该研究成果已在权威学术期刊《纳米快报》的最新一期中正式发表。

据科研人员介绍，这款新型NAND闪存之所以拥有如此出色的抗辐射性能，关键在于其采用了与硅工艺完美兼容的氧化铪材料。这种材料具有独特的铁电性，即在一定温度范围内，它能够自发地产生极化现象，并且这种极化方向可以在外部电场的精确控制下实现灵活翻转。这一革命性的特性，使得铁电材料在信息存储、高精度传感、人工智能算法加速以及新一代低功耗芯片设计等多个前沿科技领域，都展现出了巨大的应用潜力和广阔的发展前景。

在严格的测试环境中，这款铁电闪存展现出了惊人的辐射耐受能力。它能够承受高达100万拉德的辐射吸收剂量，这一数值相当于经历了1亿次X射线的强烈照射。与传统的存储器相比，其辐射耐受性提升了整整30倍，为未来太空探索、高辐射环境下的数据存储等应用提供了强有力的技术支撑。（科技日报）