三星DRAM芯片良率显著提升，HBM3E与HBM4迎来新突破

徽声在线5月19日讯，根据行业内部知情人士向媒体透露的最新消息，三星电子旗下DS部门近期在DRAM芯片制造领域取得了显著进展。具体而言，该部门成功将应用于HBM3E核心芯片的10纳米级第五代（1b）DRAM的良率提升至92%，这一数据是基于冷态测试得出的。与此同时，三星还宣布，其计划安装在下一代HBM4上的第六代（1c）DRAM的良率也已突破75%大关，实现了稳步增长。