太空AI芯片或迎来突破！韩国成功验证突触晶体管抗辐射能力

财联社3月19日讯（编辑 周子意）韩国科技信息通信部周四（3月19日）表示，一个韩国研究团队已证实，一种名为“突触晶体管（synaptic transistor）”的关键组件（用于下一代人工智能芯片）在高辐射空间环境中具有潜在应用价值。

这一发现来自韩国原子能研究机构与忠北大学以及比利时电子研究中心IMEC公司合作开展的神经突触晶体管研发项目，该项目还获得了韩国科技信息通信部的资助。

随着太空探索和卫星技术的不断进步，确保“抗辐射”性能——即能够在太空恶劣的辐射环境中保持稳定——已成为那些人工智能半导体制造企业所面临的关键挑战。

据悉，上述项目在试验中取得了突破性进展：研究人员使用铟镓锌氧化物材料（IGZO）制造了突触晶体管，并通过质子加速器对其进行了测试。该晶体管经受住了33MeV 高能质子束的辐照处理，所施加的辐射剂量相当于在太空中停留20年的辐射强度，超过了低轨道卫星的典型使用寿命（5至15年）。

尽管该组件在测试后出现了一些性能下降的情况，例如驱动电流减少，但重要的是，开关操作（半导体的核心功能）和突触可塑性（神经形态设备的关键功能）仍保持稳定。

对此，韩国科技信息通信部门表示，这些结果证实了其技术能够应用于太空级别的人工智能半导体的可能性。这是全球首次对这种技术的验证，也预示着现有芯片技术朝着能够在极端条件下运行迈进了一步。

该部门还在一份声明中表示，“这一成就表明，人工智能系统在极端环境（如太空）中的运行具有可靠性。我们将继续开发专为航天和航空行业设计的人工智能芯片的核心技术，以增强韩国的技术独立性。”