HBM封装迎突破性进展：SK海力士联合英特尔力推EMIB技术

《科创前沿观察》5月11日消息 根据ZDNet最新披露，全球存储芯片巨头SK海力士正与英特尔在2.5D封装领域展开深度技术合作，双方合作重点聚焦于EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术的商业化应用。

据行业知情人士透露，SK海力士已启动EMIB技术验证项目，计划将HBM3高带宽内存与系统级芯片通过英特尔提供的EMIB基板实现异构集成。目前研发团队正在对不同供应商的基板材料、互连密度及信号完整性进行系统性测试，为量产阶段的技术规格制定提供数据支撑。

在先进封装市场格局方面，台积电CoWoS技术长期占据70%以上市场份额。尽管SK海力士与台积电在HBM3封装领域保持战略合作，但AI算力需求爆发式增长导致CoWoS产能持续紧张。据集邦咨询数据显示，2023年Q2台积电CoWoS月产能已突破3万片，但仍无法满足英伟达、AMD等客户订单需求。

技术对比显示，EMIB方案具有三大核心优势：其一，通过局部硅桥设计将中介层面积缩减60%，使封装成本降低35%；其二，采用微凸块互连技术使信号传输功耗降低22%；其三，支持2.5D/3D混合封装架构，特别适合AI加速器、HPC等大算力芯片。国金证券研报将其类比为"算力芯片的智能交通系统"，认为该技术将重塑高端封装市场竞争格局。

从良率进展来看，英特尔在2023年投资者大会上宣布，EMIB后段制程良率已突破92%关键门槛。不过需要指出的是，其采用的FCBGA基准测试标准与行业通行的98%良率存在差异。据TechInsights拆解分析，最新一代EMIB-Pro技术通过优化硅桥刻蚀工艺，将线宽精度提升至0.4μm，显著提升了多芯片互连的可靠性。

市场动态显示，全球TOP5科技企业中有三家正在评估EMIB替代方案。其中微软Azure云部门已完成首轮技术验证，亚马逊AWS则重点考察其与InFO_PoP技术的兼容性。

商业合作层面，英特尔代工服务事业部（IFS）正与谷歌、Meta进行定制化封装方案设计。据供应链消息，谷歌TPU v5架构已预留EMIB接口，Meta最新AI训练芯片也将采用EMIB+CoWoS混合封装模式。英特尔CFO戴夫·津斯纳在Q2财报会议上透露，已签署三项年收入超5亿美元的先进封装长期协议。

量产进度方面，英特尔宣布2023年下半年将启动EMIB-T技术量产，该技术通过集成TSV硅通孔实现Z方向互连，可使封装密度提升40%。业内人士估算，采用EMIB-T的8层HBM3E封装成本较传统方案降低28%，特别适合数据中心等对成本敏感的场景。

国金证券最新研报指出，后摩尔时代封装技术正经历从"单一芯片封装"向"系统级集成"的范式转变。预计到2025年，全球2.5D/3D封装市场规模将突破300亿美元，其中EMIB技术占比有望从目前的8%提升至22%。

上海证券分析认为，AI大模型参数指数级增长催生超大规模封装需求。相较于CoWoS被英伟达GPU垄断的现状，EMIB技术中立特性更受谷歌、Meta等互联网厂商青睐。随着英特尔俄勒冈D1X工厂完成EMIB专用产线建设，2024年该技术有望进入爆发式增长期。